Hynix Memory, говорит о том, что микросхема произведена компанией Hynix

Указывает тип памяти, принимает одно из следующих значений: 5D - DDR SDRAM; 5Q — GDDR2 SDRAM; 5R — GDDR3 SDRAM

Указывает напряжение питания VDD и VDDQ, принимает одно из следующих значений:
V — 3,3 В, 2,5 В; U — 2,5 В, 2,5 В; W — 2,5 В, 1,8 В; S — 1,8 В, 1,8 В

Указывает емкость чипа и время подзарядки, пК - обозначает число столбцов в адресной матрице чипа памяти. Адресная матрица не всегда имеет квадратный вид, потому что на подзарядку чипа с меньшим числом строк уходит меньше времени, что увеличивает быстродействие: 32 — 32 Мбит, 4К, 32 мс; 64 — 64 Мбит, 4К, 64 мс; 66 — 64 Мбит, 2К, 16 мс; 28 — 128 Мбит, 4К, 64 мс; 26 — 128 Мбит, 4К, 32 мс; 56 — 256 Мбит, 8К, 64 мс; 57 — 256 Мбит, 4К, 32 мс; 58 — 256 Мбит, 8К, 32 мс; 12 — 512 Мбит, 8К, 64 мс; 1G — 1 Гбит, 8К, 64 мс

Указывает организацию памяти, принимает одно из следующих значений: 16 — х!6; 32 — х32

Указывает число банков памяти, принимает одно из следующих значений: 1 - 2 банка; 2 — 4 банка; 3 .......... 8 банков

Указывает тип интерфейса памяти, принимает одно из следующих значений: 1 — SSTL_3; 2 — SSTLJ2; 3 — - SSTL_18; 4 — Reserved; 5 — POD_18

Поколение памяти, принимает одно из следующих значений: пробел — первое поколение, А — второе поколение, В — третье поколение, С — четвертое поколение, D — пятое поколение

Тепловыделение, принимает следующие значения: пробел — нормальное, L - пониженное

Тип корпусировки, принимает следующие значения: Т ..... TSOP II, Q — LQFP, F — FBGA, FM — MCI' FBGA

Материал корпуса, принимает следующие значения: пробел — нормальный, L — не содержащий свинца, Н — не содержащий галогенов,

R — не содержащий свинца и галогенов

КК — скорость (время доступа), принимает следующие значения: 6 — 6 не, 166 МГц; 55 — 5,5 не, 183 МГц; 5 — 5 не, 200 МГц; 45 — 4,5 не, 222 МГц; 43 — 4,3 не, 233 МГц; 4 — 4 не, 250 МГц; 36 — 3,6 не, 275 МГц; 33 — 3,3 не, 300 МГц; 3 — 3 не, 333 МГц; 28 — 2,8 не, 350 МГц; 26 — 2,6 не, 375 МГц; 25 — 2,5 не, 400 МГц; 22 — 2,2 не, 450 МГц; 2 — 2 не, 500 МГц; 18 — 1,8 не, 550 МГц; 16 — 1,6 не, 600 МГц; 14 — 1,4 не, 700 МГц; 12 — 1,2 не, 800 МГц. Все частоты приведены в SDR, реальная частота DDR=SDRx2. Стоит отметить, что частота памяти по умолчанию не всегда совпадает с той, которая указана на микросхеме

Температура, принимает следующие значения: 1 — индустриальный стандарт (-40°С...80°С); E — extended стандарт (-25°С...+80°С)

Означает, что перед вами микросхема памяти

Означает, что перед вами микросхема типа DRAM

Указывает тип памяти, принимает буквенные значения от А до Z, каждому из которых соответствует определенный тип памяти. На памяти видеокарт вы можете встретить следующие буквы: D — DDR SGRAM; G — SGRAM; N — DDR SGRAM II; V — VRAM (однопортовая); W — WRAM (двухпортовая). Расшифровку остальных можно уточнить на сайте Samsung по адресу www.samsung.com

Указывает емкость чипа и время подзарядки, принимает как цифровые, так и цифро-буквенные двухзначные значения. Приведем некоторые из них: 26 — 128 Мбит 4К, 32 мс; 27 — 128 Мбит 16К, 32 мс; 28 — 128 Мбит 4К, 64 мс; 62 — 64 Мбит 2К, 16 мс; 63 — 64 Мбит 2К, 32 мс; 64 — 64 Мбит 4К, 64 мс

Указывает организацию, принимает двузначные значения. Вот некоторые из них: 16 — х!6; 32 — х32; 64 — х64

Указывает число банков памяти. Принимает одно из шести числовых значений: 1 — 1 банк; 2 — 2 банка; 3 — 4 банка; 4 — 8 банков; b — 16 банков!; 6 — 32 банка

Указывает тип интерфейса памяти, VDD и VDDQ. Принимает как числовые, так и буквенные однозначные значения, некоторые из которых приведены ниже: 6 — SSTL-3, 3,3 В, 3,3 В; 7 — SSTL-2, 3,3 В, 2,5 В; 8 — SSTL-2, 2,5 В, 2,5 В; 9 — RSL, 2,5 В, 2,5 В; А — SSTL, 2,5 В, 1,8 В; Q — SSTL, 1,8 В, 1,8 В

Указывает поколение памяти, принимает буквенные значения, некоторые из которых приведены ниже: М — первое поколение; А — второе поколение; В — третье поколение; С — четвертое поколение; D — пятое поколение; Е — шестое поколение; F — седьмое поколение

G — указывает тип упаковки. Принимает следующие значения в зависимости от типа памяти (см. значение А): для DDR SGRAM: Q — TQFP; G — FBGA; H — WBGA; J — FBGA (DDP); Т — TSOP2-400; L — TSOP2-400(LF); U — TQFP(LF); V — FBGA(LF); P — FBGA(LLDP); для SGRAM: P — QFP; Q — TQFP; для VRAM: H — SSOP; для WRAM: P — QFP; для DDR SGRAM II: G — FBGA, E — FBGA (LF, DDP)

Температура и потребляемая мощность, принимает как буквенные, так и числовые значения, некоторые из которых приведены ниже: А — Automotive, Normal; С — Commercial, Normal; L — Commercial, Low; В — Commercial, Super Low; E — Extended, Normal; N — Extended, Low; U — Extended, Super Low; 1 — Industrial, Normal; P — Industrial, Low; D — Industrial, Super Low; G — Extended, Low, PASR & TCSR, Г — Industrial, Super Low, PASR & TCSR

Скорость (время доступа), принимает следующие значения в зависимости от типа памяти: VRAM и WRAM: 80 — 8 не; 70 — 7 не; 60 — 6 не; 55 — 5,5 не; 50 — 5 не; DDR SGRAM: 21 — 2,1 не (475 МГц); 22 — 2,2 не (450 МГц); 25 — 2,5 не; 30 — 3 не; 33 — 3,3 не; 35 — 3,5 не; 36 — 3,6 не; 3N — 3,32 не (301 МГц); 40 — 4 не; 45 — 4,5 не; 50 — 5 не; 55 — 5,5 не; 58 — 5,8 не; 60 — 6 не; 66 — 6,6 не; 67 — 6,7 не; 70 — 7 не; 80 — 8 не; 90 — 9 не; 2А — 2,86 не (350 МГц); 2В — 2,94 не (340 МГц); 2С — 2,66 не (375 МГц); DDR SGRAM II: 12 — 1,25 не; 14 — 1,429 не; 16 — 1,667 не; 18 — 1,818 не; 1К — 1,996 не; 20 — 2 не; 22 — 2,2 не; 25 — 2,5 не; 30 — 3 не; 33 — 3,3 не

Префикс, принимает одно из двух значений: HYB — стандартный префикс Infineon; HYE — префикс для микросхем,
поддерживающих расширенный температурный стандарт (-25°С...+85°С)

Указывает VDD и VDDQ, принимает одно из двух значений: 25 — 2,5 В VDD, 2,5 или 1,8 В VDDQ; 39 — 3,3 В VDD и VDDQ

Указывает семейство памяти, для видеопамяти принимает одно-единственное значение — D, указывающее,
что микросхема принадлежит к семейству DDR SDRAM или графической памяти

Указывает емкость чипа, принимает следующие значения: 128 — 128 Мбит, 256 — 2ЬВ Мбит, 512 — 512 Мбит

Указывает организацию памяти, принимает следующие значения: 80 — х8, 16 — х!6, 32 — х32

Указывает интерфейс памяти, принимает следующие значения: 0 — LV-TLL; 3 — Matched Impendence 2,5 VDDQ; 5 — Matched Impendence 1,8 VDDQ

Обозначает ревизию продукта

Тип упаковки, принимает одно из двух значений: Т — TSOP, С ...... - Chip Size Package

Скорость (время доступа), принимает следующие значения: 8 — 8 не, 125 МГц; 7.5 — 7,5 не, 133 МГц; 5 — 5 не, 200 МГц;
4.5 — 4_V5 не, 222 МГц; 3.6 — 3,6 не, 275 МГц; 3.3 — 3,3 не, 300 МГц; 3.0 — 3 не, 333 МГц; 2.8 — 2,8 не, 350 МГц;
2.5 — 2,5 не, 400 МГц; 2.2 — 2,2 не, 450 МГц